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2SD1010	文件：38.46 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) For low-frequency amplification ■Features ● High foward current transfer ratio hFE. ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● High emitter to base voltage VEBO. ● Low noise voltage NV. 文件：38.46 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1012	文件：723.53 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor 15V, 0.7A, Low VCE(sat), NPN Single SPA 文件：723.53 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1012	文件：115.59 Kbytes Page：4 Pages	Low-Voltage Large-Current Amp Applications Low-Voltage Large-Current Amplifier Applications 文件：115.59 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1012F-SPA	文件：723.53 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor 15V, 0.7A, Low VCE(sat), NPN Single SPA 文件：723.53 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1012F-SPA-AC	文件：723.53 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor 15V, 0.7A, Low VCE(sat), NPN Single SPA 文件：723.53 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1012G-SPA	文件：723.53 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor 15V, 0.7A, Low VCE(sat), NPN Single SPA 文件：723.53 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1012G-SPA-AC	文件：723.53 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor 15V, 0.7A, Low VCE(sat), NPN Single SPA 文件：723.53 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1015	文件：39.65 Kbytes Page：1 Pages	SILICON NPN LEC SYMMETRY TRANSISTOR Silicon NPN LEC Symmetry Transistor ● VCEO, VECO, veco ≧ 50 V ● VCE(sat), VEC(sat) ≦ 0.5 V at IC = 1A, IB = 10A ● hFE, hFER 150 ~ 1500 文件：39.65 Kbytes 页数：1 Pages	SONYSony Corporation 索尼	SONY
2SD1011	文件：42.99 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency amplification 文件：42.99 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1016	文件：250.42 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：250.42 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

产品属性

产品编号：
2SD1012F-SPA
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
80mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 50mA，2V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
3-SIP
供应商器件封装：
3-SPA
描述：
TRANS NPN 15V 0.7A 3SPA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD101供应商更新时间2026-4-17 15:52:00

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