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2SCR587D3分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SCR587D3
厂商型号

2SCR587D3

参数属性

2SCR587D3 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 120V 3A TO252

功能描述

TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors

丝印标识

2SCR587D3

封装外壳

TO-252-2L / TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

2.36232 Mbytes

页面数量

7

生产厂商 Nanjing International Group Co
企业简称

DGNJDZ南晶电子

中文名称

东莞市南晶电子有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-10 18:10:00

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2SCR587D3规格书详情

=1A/100mA)

=120mV(Max.).

2) Complementary PNP Types : 2SAR587D3.

Features

1) Suitable for Power Driver.

3) Low VCE(sat)

VCE(sat)

(IC/IB

Application

LOW FREQUENCY AMPLIFIER

产品属性

  • 产品编号:

    2SCR587D3TL1

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    120mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252

  • 描述:

    TRANS NPN 120V 3A TO252

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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