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2SCR563F3分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SCR563F3

参数属性

2SCR563F3 封装/外壳为3-UDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3

功能描述

NPN 6A 50V Middle Power Transistor
TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3

丝印标识

NE

封装外壳

DFN2020-3S / 3-UDFN 裸露焊盘

文件大小

1.53407 Mbytes

页面数量

9

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-16 14:36:00

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2SCR563F3规格书详情

2SCR563F3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由罗姆半导体集团制造生产的2SCR563F3晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

1) Suitable for Middle Power Driver.

2) Low VCE(sat)

VCE(sat)=350mV(Max.).

(IC/IB=3A/150mA)

3) High collector current.

IC=6A(max),ICP=12A(max)

4) Leadless small SMD package (HUML2020L3)

Excellent thermal and electrical conductivity.

Application

LOW FREQUENCY AMPLIFIER

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SCR563F3TR

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    350mV @ 150mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 500mA,3V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-UDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    HUML2020L3

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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