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2SCR563F3	文件：1.53407 Mbytes Page：9 Pages	NPN 6A 50V Middle Power Transistor Features 1)SuitableforMiddlePowerDriver. 2)LowVCE(sat) VCE(sat)=350mV(Max.). (IC/IB=3A/150mA) 3)Highcollectorcurrent. IC=6A(max),ICP=12A(max) 4)LeadlesssmallSMDpackage(HUML2020L3) Excellentthermalandelectricalconductivity. Application LOWFREQUENCYAMPLI	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SCR563F3TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：3-UDFN 裸露焊盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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2SCR563F3

文件：1.53407 Mbytes

Page：9 Pages

NPN 6A 50V Middle Power Transistor

Features 1)SuitableforMiddlePowerDriver. 2)LowVCE(sat) VCE(sat)=350mV(Max.). (IC/IB=3A/150mA) 3)Highcollectorcurrent. IC=6A(max),ICP=12A(max) 4)LeadlesssmallSMDpackage(HUML2020L3) Excellentthermalandelectricalconductivity. Application LOWFREQUENCYAMPLI

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

2SCR563F3TR

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：3-UDFN 裸露焊盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

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