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2SC5706D	文件：497.24 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon General Purpose Transistor FEATURES •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC5706-E	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	BipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5706-E	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	BipolarTransistor(-)50V,(-)5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA BipolarTransistor (-)50V,(-)5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBETandMBITprocesses •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation Applications •DC/DCconverter,rel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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