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2SC5646A中文资料射频晶体管,NPN 单,4 V,30 mA,fT = 12.5 GHz数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2SC5646A

参数属性

2SC5646A 封装/外壳为SC-81;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 4V 12.5GHZ 3SSFP

功能描述

射频晶体管,NPN 单,4 V,30 mA,fT = 12.5 GHz
RF TRANS NPN 4V 12.5GHZ 3SSFP

封装外壳

SC-81

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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2SC5646A规格书详情

描述 Description

2SC5646A is RF Transistor, 4 V, 30 mA, fT = 12.5 GHz, NPN Single SSFP for UHF to S-Band Low-Noise Amplifier OSC Applications.

特性 Features

• Low-noise : NF=1.5dB typ (f=2GHz)
• High cut-off frequency : fT=10GHz typ (VCE=1V), fT=12.5GHz typ (VCE=3V)
• Low-voltage operation
• High gain : Forward Transfer Gain =9.5dB typ (f=2GHz)
• Ultrasmall, slim fl at-lead package (1.4mm x 0.8mm x 0.6mm)
• Halogen free compliance

简介

2SC5646A属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的2SC5646A晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SC5646A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :0.03

  • VCEO(sus) Min (V)

    :4

  • hFE Min

    :100

  • hFE Max

    :160

  • PTM Max (W)

    :0.1

  • fT Min (MHz)

    :10000

  • NF Typ. (dB)

    :1.5

  • |S21e| 2 Typ. (dB)

    :9.5

  • Package Type

    :SOT-623/SSFP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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