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2SC5646数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

2SC5646

参数属性

2SC5646 封装/外壳为SC-81;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 4V 12.5GHZ 3SSFP

功能描述

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to S Band Low-Noise Amplifier andOSC Applications
RF TRANS NPN 4V 12.5GHZ 3SSFP

封装外壳

SC-81

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 11:56:00

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2SC5646规格书详情

简介

2SC5646属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的2SC5646晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2SC5646A-TL-H

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    4V

  • 频率 - 跃迁:

    10GHz ~ 12.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    100mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 5mA,1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-81

  • 供应商器件封装:

    3-SSFP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4V 12.5GHZ 3SSFP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NK/南科功率
2025+
SOT-523
986966
国产
询价
ON/安森美
2023+
8700
原装现货
询价
T/NEC
2023+
CAN
50000
全新原装现货
询价
SANYO/三洋
23+
SSFP
27000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
TOSHIBA/东芝
专业铁帽
CAN3
67500
铁帽原装主营-可开原型号增税票
询价
PANASONIC
23+
SOT23
5000
专注配单,只做原装进口现货
询价
NEC
23+
DFN1006-3
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
PANASONIC
24+
30000
询价
ON/安森美
22+
SC-81
14100
原装正品
询价