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2SC5347AE-TD-E	文件：421.18 Kbytes Page：8 Pages	High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifi er Applications High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifier Applications Features • High-frequency medium output amplification (VCE=5V, IC=50mA) : fT=4.7GHz typ (f=1GHz) : \|S21e\|2=8dB typ (f=1GHz) : NF=1.8dB typ (f=1GHz) 文件：421.18 Kbytes 页数：8 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC5347AE-TD-E	文件：318.02 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 12V, 150mA, fT=4.7GHz, NPN Single PCP 文件：318.02 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5347AE-TD-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5347AF-TD-E	文件：318.02 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 12V, 150mA, fT=4.7GHz, NPN Single PCP 文件：318.02 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5347AF-TD-E	文件：421.18 Kbytes Page：8 Pages	High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifi er Applications High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifier Applications Features • High-frequency medium output amplification (VCE=5V, IC=50mA) : fT=4.7GHz typ (f=1GHz) : \|S21e\|2=8dB typ (f=1GHz) : NF=1.8dB typ (f=1GHz) 文件：421.18 Kbytes 页数：8 Pages	SANYO 三洋	SANYO

产品属性

产品编号：
2SC5347AE-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
4.7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.8dB @ 1GHz
增益：
8dB
功率 - 最大值：
1.3W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
150mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC5347AE-TD供应商更新时间2025-12-25 15:08:00

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