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2SC5201(TE6,F,M)

Package:TO-226-3,TO-92-3 长体;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 600V 0.05A TO92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 页数:73 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5201

Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type High-Voltage Switching Applications

文件:99.14 Kbytes 页数:3 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5201

NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS)

High-Voltage Switching Applications • High breakdown voltage: VCEO = 600 V • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.0 V (max) (IC = 20 mA, IB = 0.5 mA)

文件:77.7 Kbytes 页数:1 Pages

TOSHIBA

东芝

产品属性

  • 产品编号:

    2SC5201(TE6,F,M)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 500mA,20mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 20mA,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92MOD

  • 描述:

    TRANS NPN 600V 0.05A TO92MOD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Toshiba Semiconductor and Stor
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TO-92MOD
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TOSHIBA/东芝
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更多2SC5201(TE6供应商 更新时间2025-12-25 15:01:00