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2SC5200C-O-AB-N-B	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Transistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
2SC5200C-O-AL-N-B	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Transistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
2SC5200C-O-AL-N-D	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Transistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
2SC5200	文件：94.02 Kbytes Page：3 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequency AmplifierOutputStage. ComplementarytoUTC2SA1943	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC5200	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5200	文件：292.72 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighCurrentCapability ·HighPowerDissipation ·HighCollector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=230V(Min) ·ComplementtoType2SA1943 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5200	文件：229.34 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3PLpackage •Complementtotype2SA1943 APPLICATIONS •Highcurrentswitching •Recommendedfor100Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5200	文件：127.51 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5200	文件：281.46 Kbytes Page：2 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATION •Complementaryto2SA1943 •Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequencyAmplifierOutputStage.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC5200	文件：281.75 Kbytes Page：2 Pages	150WattSiliconEpitaxialPlanarNPNPowerTransistor	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
2SC5200	文件：377.77 Kbytes Page：2 Pages	TO-3PPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC5200	文件：231.01 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5200	文件：424.28 Kbytes Page：2 Pages	150WattSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PLpackage ·Complementtotype2SA1943 APPLICATIONS ·Highcurrentswitching ·Recommendedfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
2SC5200	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedTransistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
2SC5200	文件：921.21 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-3PPlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC5200	文件：157.43 Kbytes Page：8 Pages	HighpowerNPNepitaxialplanarbipolartransistor Description ThisdeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnewBiT-LA(bipolartransistorforlinearamplifier)technology.Theresultingtransistorshowsgoodgainlinearitybehaviour. Features ■HighbreakdownvoltageVCEO=230V ■TypicalfT=30MHz Application ■Audiopoweramplif	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2SC5200	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5200	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=17A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1943/FJL4215. •ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5200	文件：177.43 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSDRIVERSTAGEAMPLIFIER	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC5200	文件：288.73 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=300V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=3.0V(Max)@IC=8A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	2SC5200D	华微	23+	TO-3PLT	50000	华微功率器件全系列供应,支持终端生产	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SC5200L	UTC/友顺	2021+	TO-3PL	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	2SC5200L-O-T3L-T	UTC/友顺	2021+	TO3PL	100000	原装现货	询价
深圳市华博特电子有限公司	2SC5200L-O-T3L-T	UTC	23/22+	TO3PL	17208	20年老代理.原厂技术支持	询价
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更多2SC5200C供应商更新时间2024-4-30 11:00:00

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