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NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTOR FEATURES •HighfT:fT=12GHzTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz •Lownoiseandhighgain •Lowvoltageoperation •4-pinsuperminimold(18)package | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR4PINSSUPERMINIMOLD FEATURES •SmallPackage •HighGainBandwidthProduct(fT=12GHzTYP.) •LowNoise,HighGain •LowVoltageOperation | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC |
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