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2SC5010中文资料Small Signal Silicon Bipolars数据手册Renesas规格书

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厂商型号

2SC5010

参数属性

2SC5010 封装/外壳为SOT-523;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523

功能描述

Small Signal Silicon Bipolars

封装外壳

SOT-523

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2026-2-4 11:10:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SC5010

  • 别名:

    2SC5010三极管、2SC5010晶体管、2SC5010晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_超高频/特高频 (UHF)_SHF

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    9V

  • 最大电流允许值:

    0.03A

  • 最大工作频率:

    12GHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SC5139,2SC5247,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    9

  • htest:

    12000000000

  • atest:

    0.03

  • wtest:

    0

2SC5010规格书详情

描述 Description

NPN Silicon Amplifier and Oscillator Transistor (Same as NE68519)

技术参数

  • 产品编号:

    2SC5010-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    6V

  • 频率 - 跃迁:

    12GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    8.5dB

  • 功率 - 最大值:

    125mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 10mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-523

  • 供应商器件封装:

    SOT-523

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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