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2SC5010-T1中文资料NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD数据手册Renesas规格书

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厂商型号

2SC5010-T1

参数属性

2SC5010-T1 封装/外壳为SOT-523;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523

功能描述

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

封装外壳

SOT-523

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 20:00:00

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2SC5010-T1规格书详情

描述 Description

DESCRIPTION
The 2SC5010 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low noise and small signal amplifiers from VHF band to L band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride passivated base surface process (NEST3 process) which is an NEC proprietary fabrication technique.FEATURES
• Low Voltage Use.
• High fT : 12.0 GHz TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 10 mA, f = 2 GHz)
• Low Cre : 0.4 pF TYP. (@ VCE= 3 V, IE= 0, f = 1 MHz)
• Low NF : 1.5 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 3 mA, f = 2 GHz)
• High |S21e|2: 8.5 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 10 mA, f = 2 GHz)
• Ultra Super Mini Mold Package.

特性 Features

• Low Voltage Use.
• High fT : 12.0 GHz TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 10 mA, f = 2 GHz)
• Low Cre : 0.4 pF TYP. (@ VCE= 3 V, IE= 0, f = 1 MHz)
• Low NF : 1.5 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 3 mA, f = 2 GHz)
• High |S21e|2: 8.5 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 10 mA, f = 2 GHz)
• Ultra Super Mini Mold Package.

技术参数

  • 产品编号:

    2SC5010-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    6V

  • 频率 - 跃迁:

    12GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    8.5dB

  • 功率 - 最大值:

    125mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 10mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-523

  • 供应商器件封装:

    SOT-523

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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