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2SC4853A中文资料射频晶体管,NPN 单 MCP,6 V,15 mA,fT = 5 GHz数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2SC4853A

参数属性

2SC4853A 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3MCP

功能描述

射频晶体管,NPN 单 MCP,6 V,15 mA,fT = 5 GHz
RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3MCP

封装外壳

SC-70,SOT-323

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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2SC4853A规格书详情

描述 Description

2SC4853A is RF Transistor, 6 V, 15 mA, fT = 5 GHz, NPN Single MCP for Low-Voltage, Low-Current High-Frequency Amplifier Applications.

特性 Features

Low-voltage, low-current operation : fT=5GHz typ
Forward Transfer Gain=7dB typ (f=1GHz)
NF=2.6dB typ (f=1GHz)

简介

2SC4853A属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的2SC4853A晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SC4853A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : RF Transistor

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :0.015

  • VCEO(sus) Min (V)

    :6

  • hFE Min

    :60

  • hFE Max

    :270

  • PTM Max (W)

    :0.09

  • fT Min (MHz)

    :5000

  • NF Typ. (dB)

    :2.6

  • |S21e| 2 Typ. (dB)

    :7

  • Package Type

    :SC-70 / MCP3

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