2SC4853中文资料NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Low-Voltage, Low-Current High-Frequency Amplifier Applications数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
2SC4853 |
| 参数属性 | 2SC4853 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3MCP |
| 功能描述 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Low-Voltage, Low-Current High-Frequency Amplifier Applications |
| 封装外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-9 23:00:00 |
| 人工找货 | 2SC4853价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2SC4853三极管、2SC4853晶体管、2SC4853晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_甚高频 （VHF）_超高频/特高频
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
12V
- 最大电流允许值：
0.015A
- 最大工作频率：
5GHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BFR92W,BFR820W,2SC4871,
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
12
- htest：
5000000000
- atest：
0.015
- wtest：
0
2SC4853规格书详情
简介
2SC4853属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由ONSEMI制造生产的2SC4853晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
2SC4853A-4-TL-E
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
- 频率 - 跃迁：
5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
2.6dB ~ 1.9dB @ 1GHz
- 增益：
7dB ~ 10.5dB @ 1GHz
- 功率 - 最大值：
90mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 1mA，1V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
15mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装：
3-MCP
- 描述：
RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3MCP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
25+ |
MCP-3 |
11491 |
样件支持,可原厂排单订货! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
25+ |
MCP-3 |
11543 |
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