2SC4853数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

厂商型号 |
2SC4853 |
参数属性 | 2SC4853 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3MCP |
功能描述 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Low-Voltage, Low-Current High-Frequency Amplifier Applications |
封装外壳 | SC-70,SOT-323 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 8:10:00 |
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2SC4853规格书详情
简介
2SC4853属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的2SC4853晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号:
2SC4853A-4-TL-E
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
6V
- 频率 - 跃迁:
5GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
2.6dB ~ 1.9dB @ 1GHz
- 增益:
7dB ~ 10.5dB @ 1GHz
- 功率 - 最大值:
90mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
90 @ 1mA,1V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
15mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:
3-MCP
- 描述:
RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3MCP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO/三洋 |
25+ |
SOT323 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
3000 |
原装现货,实单价格可谈 |
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SANYO |
24+ |
SOT323 |
18560 |
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询价 | ||
SANYO/三洋 |
21+ |
SOT323-3 |
9000 |
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SANYO/三洋 |
24+ |
NA/ |
75000 |
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SANYO |
24+ |
SOT323 |
20000 |
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SANYO |
08+ |
SOT323 |
6000 |
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ON |
23+ |
SOT-323 |
63000 |
原装正品现货 |
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SANYO/三洋 |
2450+ |
SOT23-6 |
8850 |
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SOT-323 |
23+ |
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