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2SC4226-T1分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2SC4226-T1 |
参数属性 | 2SC4226-T1 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323 |
功能描述 | NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold |
封装外壳 | SC-70,SOT-323 |
文件大小 |
149.56 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | Renesas Technology Corp |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | RENESAS |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
人工找货 | 2SC4226-T1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC4226-T1规格书详情
NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
DESCRIPTION
The NE85630 / 2SC4226 is a low supply voltage transistor designed for VHF, UHF low noise amplifier. It is suitable for a high density surface mount assembly since the transistor has been applied 3-pin super minimold package.
FEATURES
• Low noise : NF = 1.2 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
• High gain : ⏐S21e⏐2 = 9 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
• 3-pin super minimold package
产品属性
- 产品编号:
2SC4226-T1-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
4.5GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.2dB @ 1GHz
- 增益:
9dB
- 功率 - 最大值:
150mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 7mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:
SOT-323
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
1423 |
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NEC |
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SOT-323 |
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NEC |
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SOT-323 |
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SOT-323 |
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