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2SC4226-T1分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

2SC4226-T1
厂商型号

2SC4226-T1

参数属性

2SC4226-T1 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323

功能描述

NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

149.56 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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2SC4226-T1规格书详情

NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold

DESCRIPTION

The NE85630 / 2SC4226 is a low supply voltage transistor designed for VHF, UHF low noise amplifier. It is suitable for a high density surface mount assembly since the transistor has been applied 3-pin super minimold package.

FEATURES

• Low noise : NF = 1.2 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

• High gain : ⏐S21e⏐2 = 9 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

• 3-pin super minimold package

产品属性

  • 产品编号:

    2SC4226-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    4.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益:

    9dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 7mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SOT-323

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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