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2SC4135S-TL-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor 文件：385.87 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4135T-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor 文件：385.87 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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2SC4137	文件：162.92 Kbytes Page：3 Pages	High frequency amplifier transistor, RF switching (6V, 50mA) 文件：162.92 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC4137_09	文件：162.92 Kbytes Page：3 Pages	High frequency amplifier transistor, RF switching (6V, 50mA) 文件：162.92 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC4138	文件：34.4 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor 文件：34.4 Kbytes 页数：1 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
2SC4138	文件：175.36 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：175.36 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC4138_07	文件：33.93 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor 文件：33.93 Kbytes 页数：1 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
2SC4139	文件：178.32 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：178.32 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC4139_15	文件：195.86 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：195.86 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

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产品属性

产品编号：
2SC4134S-TL-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 40mA，400mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TP-FA
描述：
TRANS NPN 100V 1A TPFA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2SC4134S-TL-E	onsemi(安森美)	24+	TP-FA	1400	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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更多2SC413供应商更新时间2026-1-18 8:11:00

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