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2SC4135-252	文件：281.07 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：281.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4135S-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers 文件：385.87 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4135S-TL-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers 文件：385.87 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4135T-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers 文件：385.87 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4135T-TL-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers 文件：385.87 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4137	文件：37.09 Kbytes Page：1 Pages	FOR AUDIO TEMPERATUEE COMPENSATION CIRCUITS Features 1) Very low output-on resistance (Ron). 2) Low capacitance. 文件：37.09 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC4138	文件：242.64 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) • High Switching Speed • High Reliability APPLICATIONS • Designed for switching regulator and general purpose applications. 文件：242.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4138	文件：173.63 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • High voltage • High speed switching APPLICATIONS • For switching regulator and general purpose applications 文件：173.63 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC4138	文件：24.44 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose) Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor) Application : Switching Regulator and General Purpose 文件：24.44 Kbytes 页数：1 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
2SC4139	文件：176.55 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High voltage ·High speed switching APPLICATIONS ·For switching regulator and general purpose applications 文件：176.55 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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产品属性

产品编号：
2SC4134S-TL-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 40mA，400mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TP-FA
描述：
TRANS NPN 100V 1A TPFA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2SC4134S-TL-E	onsemi(安森美)	24+	TP-FA	1400	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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更多2SC413供应商更新时间2026-1-18 8:11:00

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