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2SC4116	文件：840.11 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Highvoltageandhighcurrent ●ExcellenthFElinearity ●HighhFE ●Lownoise ●Complementaryto2SA1586	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SC4116	文件：172.38 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistor FEATURES ●Highvoltageandhighcurrent. ●ExcellenthFElinearity. ●HighhFE. ●Lownoise. ●Complementaryto2SA1586	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC4116	文件：236.43 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon FEATURES Highvoltageandhighcurrent ExcellenthFElinearity HighhFE Lownoise *Complementaryto2SA1586	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SC4116	文件：47.36 Kbytes Page：1 Pages	SiliconNPNEpitaxial Features •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max). •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ). •HighhFE:hFE=70700. •Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max). •Smallpackage.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC4116	文件：641.06 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC4116	文件：211.35 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70to700 •Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) •Complementaryto2SA1586 •S	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC4116	文件：873.85 Kbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SC4116	文件：195.36 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ExcellenthFElinearity. ●Highvoltageandcurrent. ●Complementaryto2SA1586. ●Smallpackage. APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor. ●Switchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC4116	文件：1.92934 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Highvoltageandhighcurrent ExcellenthFElinearity HighhFE Lownoise Complementaryto2SA1586	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC4116	文件：206.45 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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