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2SC4115S-R-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 3A TO92S	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC4115	文件：51.9 Kbytes Page：1 Pages	LowFrequencyTransistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=3A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=20V ●Complementsto2SA1585	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC4115	文件：1.39832 Mbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A) ●Excellentcurrentgaincharacteristics. ●Complementsto2SA1585	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SC4115	文件：1.61096 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A) Excellentcurrentgaincharacteristics. Complementsto2SA1585	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC4115	文件：630.49 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor FEATURES ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A) ●Excellentcurrentgaincharacteristics. ●Complementsto2SA1585.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC4115	文件：76.91 Kbytes Page：1 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●SmallFlatPackage ●GeneralPurposeApplication ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC4115	文件：1.19297 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A) ●Excellentcurrentgaincharacteristics. ●Complementsto2SA1585	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC4115	文件：1.03355 Mbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A) •Excellentcurrentgaincharacteristics. •Complementsto2SA1585	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
2SC4115	文件：980.13 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentcurrentgaincharacteristics；complementarypairwith2SA1585. Applications Lowfrequencyamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC4115E	文件：230.08 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR DESCRIPTION NPNEpitaxialplanarSiliconTransistor FEATURES LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A) APPLICATION Excellentcurrentgaincharacteristics Forportableequipment:(i.e.Mobilephone,MP3,MD,CD-ROM, DVD-ROM,NotebookPC,etc.)	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC4115-Q	文件：76.91 Kbytes Page：1 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●SmallFlatPackage ●GeneralPurposeApplication ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC4115-Q	文件：327.24 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC4115-Q-HF	文件：336.87 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC4115-R	文件：76.91 Kbytes Page：1 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●SmallFlatPackage ●GeneralPurposeApplication ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC4115-R	文件：327.24 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC4115-R-HF	文件：336.87 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC4115S	文件：165.89 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyTransistor(20V,3A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SC4115S	文件：96.5 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyTransistor(20V,3A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A) 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424/2SA1585S.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SC4115S	文件：95.73 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES PowerdissipationPD:0.3W(Tamb=25°C) CollectorcurrentICM:3A Collector-basevoltageV(BR)CBO:40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55°Cto+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC4115S	文件：131.07 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPD:0.3W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:3A Collector-basevoltageV(BR)CBO:40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

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产品属性

产品编号：
2SC4115S-R-AP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线）
供应商器件封装：
TO-92S
描述：
TRANS NPN 20V 3A TO92S

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	2SC4115S-R-AP	Micro Commercial Co	2022+	-	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SC4115S-R-AP	Micro Commercial Co	24+	TO-226-3,TO-92-3 短体(成形引	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
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更多2SC4115S-R-AP供应商更新时间2024-6-22 15:00:00

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