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2SC4097	文件：105.68 Kbytes Page：3 Pages	MediumPowerTransistor FEATURES •HighICMax.ICMax=0.5A. •LowVCE(sat).Optimalforlowvoltageoperation. •Complementaryto2SA1577	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC4097	文件：83.39 Kbytes Page：2 Pages	MediumPowerTransistor Features ●HighICMax.ICMax.=0.5A ●LowVCE(sat).Optimalforlowvoltageoperation.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC4097	文件：74.94 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,0.5A) MediumPowerTransistor(32V,0.8A) Features 1)VeryLowVCE(sat). VCE(sat)=0.1V(Typ.) ̈́IC/IB=500УA/50mAͅ 2)Highcurrentcapacityincompactpackage. 3)Complementsthe2SB1197K.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SC4097	文件：993.93 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC4097	文件：756.45 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features LowCob,complementsthe2SA1577. Applications Mediumpowertransistor.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC4097	文件：129.919 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:200mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:500mA Collector-basevoltageV(BR)CBO:40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC4097	文件：1.44541 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighICMax.=0.5A ●LowVCE(sat).Optimalforlowvoltageoperation. ●Complementsthe2SA1577	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SC4097	文件：153.23 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ExcellenthFElinearity. ●Powerdissipation:PCM=200mW APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC4097	文件：1.19965 Mbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighICMax.ICMax=0.5A ●LowVCE(sat).Optimalforlowvoltageoperation. ●Complementsthe2SA1577	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SC4097	文件：1.8929 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighICMax.=0.5A LowVCE(sat).Optimalforlowvoltageoperation. Complementsthe2SA1577	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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