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2SC3820	文件：79.63 Kbytes Page：3 Pages	High-hFE, AF Amp Applications????????? High hFE, AF Amplifier Applications Features • Adoption of FBET and MBIT processes. • High DC current gain (hFE=800 to 3200). • Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)≤0.5V). • High VEBO (VEBO≥15V). • Small Cob (Cob=2.0pF typ). Applications • Drivers, muting circuits. 文件：79.63 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3821	文件：105.76 Kbytes Page：1 Pages	MOLD TYPE BIPOLAR TRANSISTORS MOLD TYPE BIPOLAR TRANSISTORS Rating and Specifications 文件：105.76 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC3822	文件：105.76 Kbytes Page：1 Pages	MOLD TYPE BIPOLAR TRANSISTORS MOLD TYPE BIPOLAR TRANSISTORS Rating and Specifications 文件：105.76 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC3822	文件：110.89 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High voltage ,high speed APPLICATIONS • For power switching ,power amplifier, power driver and electronic supply applications 文件：110.89 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3825-251	文件：294.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 15(Min)@ IC=0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：294.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3829	文件：38.11 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF band low-noise amplification) Silicon NPN epitaxial planar type For UHF band low-noise amplification ■ Features • Low noise figure NF • High gain • High forward transfer gain \|S21e\|2 • Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing 文件：38.11 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SC3821	文件：248.03 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：248.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3821	文件：67.72 Kbytes Page：1 Pages	BIPOLAR TRANSISSTORS RATINGS AND SPECIFICATIONS 文件：67.72 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC3822	文件：112.46 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：112.46 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3822	文件：193.43 Kbytes Page：2 Pages	High Speed Switching 文件：193.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SC3829
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_超高频/特高频（UHF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
15V
最大电流允许值：
0.08A
最大工作频率：
6GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3356,2SC3445,2SC3513,2SC3606,2SC3704,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
15
htest：
6000000000
atest：
0.08
wtest：
0

详细参数

型号：
2SC382
功能描述：
TRANS NPN 10VCEO 80MA MINI-3P
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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更多2SC382供应商更新时间2026-3-10 16:30:00

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