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2SC3679_15

Silicon NPN Power Transistors

文件:183.76 Kbytes 页数:4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SC3679_2014

Silicon NPN Power Transistors

文件:183.76 Kbytes 页数:4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SC3672

TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS) HIGH VOLTAGE CONTROL APPLICATIONS, PLASMA DISPLAY, NIXIE TUBE DRIVER APPLICATIONS, CATHODE RAY TUBE BRIGHTNESS CONTROL APPLICATIONS

Toshiba

东芝

2SC3673

TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE SWITCHING APPLICATIONS SOLENOID DRIVE APPLICATIONS

Toshiba

东芝

2SC3675

NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 900V/100mA High-Voltage Amplifier High-Voltage Switching Applications

ONSEMI

安森美半导体

2SC3672-O(T2ASH,FM

Package:SC-71;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 300V 0.1A MSTM

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

晶体管资料

  • 型号:

    2SC3676

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    DYNAMIC FOCUS

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    1500V

  • 最大电流允许值:

    0.3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    1500

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.3

  • wtest:

    20

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更多2SC367供应商 更新时间2026-10-21 14:00:00