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2SC3669	文件：123.48 Kbytes Page：3 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3669	文件：140.72 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)PowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC3669	文件：119.55 Kbytes Page：3 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS POWERSWITCHINGAPPLICATIONS FEATURES Lowsaturationvoltage VCE(SAT)=0.5V(Max.) Highspeedswitchingtime:TSTG=1.0μs(Typ.)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3669	文件：176.02 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(POWERAMPLIFIER,SWITCHINGAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) •High-speedswitching:tstg=1.0µs(typ.) •Complementaryto2SA1429	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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更多2SC3669-Y(F)供应商更新时间2025-5-25 15:01:00