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厂商型号

2SC3587

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION

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91.01 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

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更新时间

2025-11-16 17:30:00

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2SC3587规格书详情

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION

The 2SC3587 is an NPN epitaxial transistor designed for lownoise amplification at 0.5 to 6.0 GHz. This transistor has low-noise and high-gain characteristics in a wide collector current region, and has a wide dynamic range.

FEATURES

• Low noise : NF = 1.7 dB TYP. @ f = 2 GHz

NF = 2.6 dB TYP. @ f = 4 GHz

• High power gain : GA = 12.5 dB TYP. @ f = 2 GHz

GA = 8.0 dB TYP. @ f = 4 GHz

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