2SC3357-T1 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 RENESAS/瑞萨

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1+	面议

厂家型号：
2SC3357-T1
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
生产厂商：
RENESAS/瑞萨
库存数量：
6028
产品封装：
SOT89
生产批号：
2021+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-27 14:04:00

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原厂料号：2SC3357-T1品牌：RENESAS

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2SC3357-T1是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商RENESAS/CEL生产封装SOT89/TO-243AA的2SC3357-T1晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
2SC3357-T1
规格书：
下载下载2
企业简称：
RENESAS【瑞萨】详情
厂商全称：
Renesas Electronics America
中文名称：
瑞萨科技有限公司
内容页数：
10 页
文件大小：
218.19 kb
资料说明：
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD

产品参考属性

类型
描述
产品编号：
2SC3357-T1-RF-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
6.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.8dB @ 1GHz
增益：
10dB
功率 - 最大值：
1.2W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89
描述：
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

供应商

企业：
深圳市英科美电子有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
张先生
手机：
15507502698
询价：
电话：
0755-23903058
传真：
0755-23905869
地址：
深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋730

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