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2SC3356中文资料SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors(NPN)数据手册MDD规格书

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厂商型号

2SC3356

参数属性

2SC3356 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

功能描述

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors(NPN)

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

MDD Microdiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd.

中文名称

辰达半导体 深圳辰达半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 18:50:00

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技术参数

  • 产品编号:

    2SC3356-T1B-R24-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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