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2SC3324数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2SC3324

参数属性

2SC3324 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 120V 0.1A TO236

功能描述

Transistor for low frequency small-signal amplification

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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2SC3324规格书详情

描述 Description

Feature:Low noise
Polarity:NPN
Complementary Product:2SA1312
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Collector Current IC 0.1 A
Collector-emitter voltage VCEO 120 V

技术参数

  • 产品编号:

    2SC3324GRTE85LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2mA,6V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236

  • 描述:

    TRANS NPN 120V 0.1A TO236

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