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2SC3356-R25中文资料翊欧数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SC3356-R25

功能描述

NPN Transistors

丝印标识

R25

封装外壳

SOT23

文件大小

1.21418 Mbytes

页面数量

4

生产厂商

EVVOSEMI

中文名称

翊欧

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 23:00:00

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2SC3356-R25规格书详情

特性 Features

Low noise and high gain.

NF = 1.1 dB Typ., Ga = 11 dB Typ. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz

High power gain.

MAG = 13 dB Typ. @VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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