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2SC3328-O,T6KEHF(M	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 2A TO92MOD	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3328-Y	文件：149.98 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) • High-speed switching: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SA1315 文件：149.98 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3328	文件：1.12257 Mbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package. Features Low VCE(sat) voltage: VCE(sat)=0.5V(MAX.)(IC=1A),High speed switching time: tstg=1.0μs(Typ.) complementary pair with 2SA1315. Applications Power Amplifier switching applications. 文件：1.12257 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC3328	文件：134.49 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) 文件：134.49 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3328	文件：199.05 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) • High-speed switching: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SA1315 文件：199.05 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
2SC3328-O,T6KEHF(M
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92MOD
描述：
TRANS NPN 80V 2A TO92MOD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SC3328-OT6KEHF(M	Toshiba Semiconductor and Stor	25+	TO-226-3 TO-92-3 长体	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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更多2SC3328-O供应商更新时间2025-12-25 15:01:00

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