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2SC3326	文件：43.36 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNEpitaxial Features ●Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min). ●HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=-2V,IC=-4mA). ●Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA). ●HighDCcurrentgain:hFE=200~1200. ●Smallpackage.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3326	文件：177.97 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(FORMUTINGANDSWITCHINGAPPLICATIONS) ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3326	文件：512 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)ForMutingandSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3326	文件：895.19 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC3326	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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2SC3326A	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3326-B	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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