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2SC3279-P-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 10V 2A TO92	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC3279	文件：163.11 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(STOROBOFLASH,MEDIUMPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) StrobeFlashApplications MediumPowerAmplifierApplications •HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity :hFE(1)=140~600(VCE=1V,IC=0.5A) :hFE(2)=70(min),200(typ.)(VCE=1V,IC=2A) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max) (IC=2A,IB=50	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3279	文件：335.57 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)StrobeFlashApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3279	文件：312.51 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistorPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity. Lowsaturationvoltage.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC3279	文件：295.39 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC3279	文件：125.94 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN)	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC3279	文件：501.57 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC3279	文件：311.87 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SC3279-L	文件：266.58 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors Features •HighDCCurrentGainandexcellenthFELinearity hFE(1)=140-600(VCE=1.0V,IC=0.5A) hFE(2)=70(Min.),200(Typ.)(VCE=1.0V,IC=2.0A) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC3279-L	文件：364.18 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC3279-M	文件：364.18 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC3279-M	文件：266.58 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors Features •HighDCCurrentGainandexcellenthFELinearity hFE(1)=140-600(VCE=1.0V,IC=0.5A) hFE(2)=70(Min.),200(Typ.)(VCE=1.0V,IC=2.0A) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC3279-N	文件：266.58 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors Features •HighDCCurrentGainandexcellenthFELinearity hFE(1)=140-600(VCE=1.0V,IC=0.5A) hFE(2)=70(Min.),200(Typ.)(VCE=1.0V,IC=2.0A) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
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ST2SC3279	文件：183.16 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forstoroboflashandmediumpoweramplifier applications. ThetransistorissubdividedintofourgroupsL,M, NandP,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

产品属性

产品编号：
2SC3279-P-AP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92
描述：
TRANS NPN 10V 2A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	2SC3279-P-AP	Micro Commercial Co	2022+	-	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SC3279-P-AP	Micro Commercial Co	24+	TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
深圳兆威电子有限公司	2SC3279其他被动元件	MOTOROLA/摩托罗拉	23+	TO-92	90000	原装原盘	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SC3279其他被动元件	CJ/长电	23+	TO-92	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	2SC3279其他被动元件	CJ/长电	2022	TO-92	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
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