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2SC3279	文件：295.39 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC3279	文件：312.51 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistorPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity. Lowsaturationvoltage.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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2SC3279-P	文件：266.58 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors Features •HighDCCurrentGainandexcellenthFELinearity hFE(1)=140-600(VCE=1.0V,IC=0.5A) hFE(2)=70(Min.),200(Typ.)(VCE=1.0V,IC=2.0A) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
ST2SC3279	文件：183.16 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forstoroboflashandmediumpoweramplifier applications. ThetransistorissubdividedintofourgroupsL,M, NandP,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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