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2SC3279	文件：163.11 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(STOROBOFLASH,MEDIUMPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) StrobeFlashApplications MediumPowerAmplifierApplications •HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity :hFE(1)=140~600(VCE=1V,IC=0.5A) :hFE(2)=70(min),200(typ.)(VCE=1V,IC=2A) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max) (IC=2A,IB=50	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3279	文件：335.57 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)StrobeFlashApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3279	文件：312.51 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistorPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity. Lowsaturationvoltage.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC3279	文件：295.39 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC3279	文件：125.94 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN)	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC3279	文件：501.57 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC3279	文件：311.87 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SC3279-L	文件：266.58 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors Features •HighDCCurrentGainandexcellenthFELinearity hFE(1)=140-600(VCE=1.0V,IC=0.5A) hFE(2)=70(Min.),200(Typ.)(VCE=1.0V,IC=2.0A) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC3279-L	文件：364.18 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC3279-M	文件：364.18 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC3279-M	文件：266.58 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors Features •HighDCCurrentGainandexcellenthFELinearity hFE(1)=140-600(VCE=1.0V,IC=0.5A) hFE(2)=70(Min.),200(Typ.)(VCE=1.0V,IC=2.0A) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC3279-N	文件：266.58 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors Features •HighDCCurrentGainandexcellenthFELinearity hFE(1)=140-600(VCE=1.0V,IC=0.5A) hFE(2)=70(Min.),200(Typ.)(VCE=1.0V,IC=2.0A) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC3279-N	文件：364.18 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC3279-P	文件：364.18 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC3279-P	文件：266.58 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors Features •HighDCCurrentGainandexcellenthFELinearity hFE(1)=140-600(VCE=1.0V,IC=0.5A) hFE(2)=70(Min.),200(Typ.)(VCE=1.0V,IC=2.0A) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
ST2SC3279	文件：183.16 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forstoroboflashandmediumpoweramplifier applications. ThetransistorissubdividedintofourgroupsL,M, NandP,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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