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2SC3127ID-TL-E	文件：177.6 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial 文件：177.6 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3127	文件：45.1 Kbytes Page：10 Pages	Silicon NPN Epitaxial UHF/VHF wide band amplifier 文件：45.1 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SC3127	文件：177.46 Kbytes Page：6 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION ·Low Noise and High Gain NF = 2.2 dB TYP. @VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 900 MHz PG = 10.5 dB TYP. @VCE = 5 V, IC = 20 mA, f = 900 MHz APPLICATIONS ·Designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF ~ UHF band. 文件：177.46 Kbytes 页数：6 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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详细参数

型号：
2SC3127ID
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon NPN Epitaxial

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC3127ID供应商更新时间2025-12-25 11:00:00

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