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2SC3075	文件：294.31 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=400V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=20(Min)@IC=0.1A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC3075	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC3075	文件：43.32 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor Features ●ExcellentSwitchingTimes tr=1.0ìs(Max.)tf=1.5ìs(Max.)atIC=0.5A ●HighcolletorBreakdownVoltage:VCEO=400V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3075	文件：170.75 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedType(PCTprocess)SwitchingRegulatorandHighVoltageSwitching	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC3075	文件：208.46 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(SWITCHINGREGULATORANDHIGHVOLTAGESWITCHING,HIGHSPEEDDC-DCCONVERTERAPPLICATIONS) SwitchingRegulatorandHighVoltageSwitchingApplications DC-DCConverterApplications DC-ACConverterApplications •Excellentswitchingtimes:tr=1.0μs(max) tf=1.5μs(max),(IC=0.5A) •Highcollectorbreakdownvoltage:VCE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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