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2SC3072	文件：299.12 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=20V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=140(Min)@IC=0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC3072	文件：280.06 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=20V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=140(Min)@IC=0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC3072	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC3072	文件：161.37 Kbytes Page：4 Pages	StrobeFlashApplicationsMediumPowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC3072	文件：40.31 Kbytes Page：1 Pages	SiliconNPNEpitaxial Features •HighDCcurrentgain. •Lowcollectorsaturationvoltage. •Highpowerdissipation.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3072	文件：152.32 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(STROBEFLASH,MEDIUMPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) StrobeFlashApplications MediumPowerAmplifierApplications •HighDCcurrentgain :hFE=140to450(VCE=2V,IC=0.5A) :hFE=70(min)(VCE=2V,IC=4A) •Lowcollectorsaturationvoltage :VCE(sat)=1.0V(max)(IC=4A,IB=0.1A) •Highpowerdi	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SC3072B
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	2SC3072-B	TOSHIBA	24+	TO-252	8200	新进库存/原装	询价
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更多2SC3072B供应商更新时间2025-5-28 15:01:00

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