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2SC2983	文件：1.39618 Mbytes Page：3 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighTransitionFrequency	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SC2983	文件：39.64 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor Features ●HighTransitonFrequency:Ft=100MHz(TYP.)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2983	文件：155.58 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplicationsDriverStageAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2983	文件：139.19 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(POWER,DIRVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Hightransitionfrequency:fT=100MHz(typ.) •Complementaryto2SA1225	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2983	文件：303.42 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·ExcellentlinearityofhFE ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ·Fastswitchingspeed APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifieranddriverstageamplifier applications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2983	文件：322.48 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·ExcellentlinearityofhFE ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ·Fastswitchingspeed APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifieranddriverstageamplifier applications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2983	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2983	文件：383.11 Kbytes Page：4 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •ExcellentlinearityofhFE •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Hightransistorfrequency	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2983-O	文件：632.31 Kbytes Page：4 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •LowCollectorSaturationVoltage •Execllentcurrent-to-gaincharacteristics •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC2983-Y	文件：632.31 Kbytes Page：4 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •LowCollectorSaturationVoltage •Execllentcurrent-to-gaincharacteristics •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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