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2SC2785	文件：746.95 Kbytes Page：3 Pages	TO-92SPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Highvoltage ●ExcellenthFELinearity ●Complementaryto2SA1175PNPtransistor	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SC2785	文件：281.24 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION The2SC2785isdesignedforuseindriverstageofAFamplifierandlowspeedswitching.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
ST2SC2785	文件：146.66 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintofourgroups,O,Y,G andL,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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2SC2785

文件：746.95 Kbytes

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TO-92SPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Highvoltage ●ExcellenthFELinearity ●Complementaryto2SA1175PNPtransistor

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU

2SC2785

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NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION The2SC2785isdesignedforuseindriverstageofAFamplifierandlowspeedswitching.

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

ST2SC2785

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NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintofourgroups,O,Y,G andL,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.

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