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2SC2712	文件：738.07 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURE •LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) •Complementaryto2SA1162	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SC2712	文件：206.79 Kbytes Page：4 Pages	AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC2712	文件：168.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNEpitaxialTypeTransistor Features ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) ●HighhFE:hFE=70700 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2712	文件：173.95 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). ●Complementaryto2SA1162. ●Highvoltageandhighcurrent. ●HighhFElinearity. APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC2712	文件：624.13 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2712	文件：113.89 Kbytes Page：4 Pages	AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) HighhFE LowNoise	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC2712	文件：188.42 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURE •LowNoise:NF=1dB(Typ.),10db(Max.) •Complementsofthe2SA1162	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2712	文件：385.88 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2712	文件：338.66 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNTransistors SiliconNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SC2712	文件：210.58 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA) =0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~700 •Lownoise:NF=1dB(typ.),1	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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详细参数

型号：
2SC2712-Y(TLSPF
功能描述：
两极晶体管 - BJT AUDIO FREQ NPN TRAN 50V 0.15A 3-PIN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	2SC2712-Y(TLSPF	TOSHIBA	2024	SOT23	13500	16余年资质绝对原盒原盘代理渠道更多数量	询价
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深圳市科翼源电子有限公司	2SC2712-Y(TLSPFT)	TOS	23+	SOT23	8400	原厂原装正品	询价

更多2SC2712-Y(TLSPF供应商更新时间2025-6-22 10:11:00

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