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2SC2655-Y(HIT,F,M)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 2A TO92MOD	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2655	文件：179.48 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(POWERAMPLIFIER,SWITCHINGAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) •Highcollectorpowerdissipation:PC=900mW •High-speedswitching:tstg=1.0μs(typ.) •Complementaryto2SA1020.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2655	文件：61.58 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS FEATURES Lowsaturationvoltage:VCE(SAT)=0.5V(Max.) Highspeedswitchingtime:tstg=1.0μs(Typ.)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC2655	文件：139.74 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2655	文件：282.69 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors NPNGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SC2655	文件：2.69679 Mbytes Page：54 Pages	COLORTELEVISIONN1PSChassis	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2655	文件：2.69679 Mbytes Page：54 Pages	COLORTELEVISION	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2655	文件：6.49885 Mbytes Page：126 Pages	COLOURTELEVISIONC9PJChassis	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2655	文件：1.56524 Mbytes Page：5 Pages	TO-92MODPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) HighSpeedSwitchingTime:tstg=1μs(Typ.) Complementaryto2SA1020	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC2655	文件：210.83 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC2655	文件：217.8 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES -Lowsaturationvoltage：VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) -Highspeedswitchingtime：tstg=1μs(Typ.) -Complementaryto2SA1020	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2655	文件：3.69215 Mbytes Page：5 Pages	TO-92LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) ●HighSpeedSwitchingTime:tstg=1μs(Typ.) ●Complementaryto2SA1020	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC2655	文件：255.22 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowTransistor DESCRIPTION •SiliconNPNepitaxialtype •Lowsaturationvoltage •Complementaryto2SA1020 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Powerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2655	文件：259.7 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC2655	文件：277.17 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) ●Highspeedswitchingtime:tstg=1μs(Typ.) ●Complementaryto2SA1020	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SC2655	文件：1.43171 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features Lowsaturationvoltage,highspeedswitchingtime,complementaryto2SA1020. Applications Poweramplifierandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC2655	文件：125.97 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:900mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC2655	文件：149.63 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) •Highcollectorpowerdissipation:PC=900mW •High-speedswitching:tstg=1.0μs(typ.) •Complementaryto2SA1020.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2655L	文件：622.41 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2655L-O	文件：498.23 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC

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产品属性

产品编号：
2SC2655-Y(HIT,F,M)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92MOD
描述：
TRANS NPN 50V 2A TO92MOD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	2SC2655-Y(HIT,F,M)	Toshiba Semiconductor and Stor	2022+	TO-92MOD	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SC2655-Y(HIT,F,M)	Toshiba Semiconductor and Stor	24+	TO-226-3,TO-92-3 长体	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
深圳市凯盛恒创科技有限公司	2SC2655-Y(HITCF)	TOSHIBA		最新	588	原装正品现货供应价格优	询价
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更多2SC2655-Y(HIT,F,M)供应商更新时间2024-6-14 15:00:00

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