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2SC2570A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

2SC2570A
厂商型号

2SC2570A

功能描述

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

文件大小

119.68 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-30 12:00:00

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2SC2570A规格书详情

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION

The 2SC2570A is designed for use in Low Noise Amplifier of VHF & UHF stages.

FEATURES

• Low noise and high gain : NF = 1.5 dB TYP., Ga = 8 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = 10 V, IC = 5.0 mA

• Wide dynamic range : NF = 1.9 dB, Ga = 9 dB @f = 1 GHz, VCE = 10 V, IC = 15 mA

产品属性

  • 型号:

    2SC2570A

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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