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2SC2570A	文件：119.68 Kbytes Page：8 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR DESCRIPTION The2SC2570AisdesignedforuseinLowNoiseAmplifierofVHF&UHFstages. FEATURES •Lownoiseandhighgain:NF=1.5dBTYP.,Ga=8dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=10V,IC=5.0mA •Widedynamicrange:	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SC2570A	文件：248.53 Kbytes Page：5 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION •LowNoiseandHighGain NF=1.5dBTYP. Ga=8dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=10V,IC=5mA •WideDynamicRange NF=1.9dBTYP. Ga=9dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=10V,IC=15mA APPLICATIONS •Designedforuseinlow-noiseamplifierofVHF~UHFstages.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2570A	文件：293.26 Kbytes Page：10 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC2570A-T	文件：119.68 Kbytes Page：8 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR DESCRIPTION The2SC2570AisdesignedforuseinLowNoiseAmplifierofVHF&UHFstages. FEATURES •Lownoiseandhighgain:NF=1.5dBTYP.,Ga=8dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=10V,IC=5.0mA •Widedynamicrange:	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SC2570	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC2570	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	Electricalcharacterlitics GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
2SC2570A
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

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更多2SC2570A供应商更新时间2025-7-30 10:20:00

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