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2SC2260	文件：125.87 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Power Dissipation- : Pc= 80W(Max.)@Tc=25°C • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo= 100V(Min.) • Complement to Type 2SA980 APPLICATIONS • Designed for general purpose applications. 文件：125.87 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2260	文件：109.15 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2SA980 APPLICATIONS • For power switching and general purpose applications 文件：109.15 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2260	文件：209.68 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Power Dissipation- : Pc= 80W(Max.)@Tc=25°C • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo= 100V(Min.) • Complement to Type 2SA980 APPLICATIONS • Designed for general purpose applications. 文件：209.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2261	文件：125.95 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Power Dissipation- : Pc= 80W(Max.)@Tc=25°C • Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)CEo=120V(Min.) • Complement to Type 2SA981 APPLICATIONS • Designed for general purpose applications. 文件：125.95 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2261	文件：109.15 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2SA981 APPLICATIONS • For power switching and general purpose applications 文件：109.15 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2261	文件：209.68 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Power Dissipation- : Pc= 80W(Max.)@Tc=25°C • Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)CEo=120V(Min.) • Complement to Type 2SA981 APPLICATIONS • Designed for general purpose applications. 文件：209.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2262	文件：209.67 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Power Dissipation- : PC= 80W(Max.)@TC=25℃ • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 140V(Min.) • Complement to Type 2SA982 APPLICATIONS • Designed for general purpose applications. 文件：209.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2262	文件：109.15 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2SA982 APPLICATIONS • For power switching and general purpose applications 文件：109.15 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2263	文件：205.31 Kbytes Page：5 Pages	SI NPN EPITAXIAL PLANAR AF Low Noise Amplifier Complementary Pair with 2SA973 Features • Low NV • Low rbb 文件：205.31 Kbytes 页数：5 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SC2266	文件：129.75 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High dielectric strength ·Short switching time APPLICATIONS ·For switching regulator application 文件：129.75 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SC2263
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）_低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
70MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC174,BC182,BC190,BC546,2SC2390,2SC1775(A),2SC2631,2SCS2632,3DG112C,
最大耗散功率：
0.25W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
60
htest：
70000000
atest：
0.05
wtest：
0.25

详细参数

型号：
2SC226
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
SI NPN EPITAXIAL PLANAR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC226供应商更新时间2026-3-12 16:30:00

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