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2SC2312	文件：93.33 Kbytes Page：2 Pages	RF POWER TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION MITSUBISHI 2SC2312 is an silicon NPN epitaxial planar type transistor specifically designed for linear amplifiers operating in HF band. APPLICATIONS Especially suitable for the output stage of 27MHz 4W AM/ 112W SSB transceiver sets. 文件：93.33 Kbytes 页数：2 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC2312	文件：117.19 Kbytes Page：2 Pages	Especially suitable for the output stage of 27MHz 4W AM 文件：117.19 Kbytes 页数：2 Pages	ELEFLOW	ELEFLOW
2SC2312	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF Power Transistor / NPN Epitaxial Planar Type Linear amplifiers operationg HF band.	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC2312-11-C	文件：93.33 Kbytes Page：2 Pages	RF POWER TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION MITSUBISHI 2SC2312 is an silicon NPN epitaxial planar type transistor specifically designed for linear amplifiers operating in HF band. APPLICATIONS Especially suitable for the output stage of 27MHz 4W AM/ 112W SSB transceiver sets. 文件：93.33 Kbytes 页数：2 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

晶体管资料

型号：
2SC2312
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
27MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD199,BD207,2SC1307,2SC1944,2SC1969,2SC1817,3DA73B,
最大耗散功率：
18.5W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
27000000
atest：
6
wtest：
18.5

详细参数

型号：
2SC2312
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
RF POWER TRANSISTOR

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