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2SC1815YTE2FT	文件：279.08 Kbytes Page：4 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications 文件：279.08 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
ST2SC1815	文件：183.58 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into four groups, O, Y, G and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor ST 2SA1015 is recommended. On special request, these transistors can b 文件：183.58 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
UTC2SC1815	文件：61.66 Kbytes Page：2 Pages	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR FEATURES * Collector-Emitter voltage: BVCEO=50V * Collector current up to 150mA * High hFE linearity * complimentary to 2SA1015 文件：61.66 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC1815	文件：212.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Epitaxail Type(for Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications) Audio Frequency Voltage Amplifier Applications Low Noise Amplifier Applications • High breakdown voltage, high current capability : VCEO = 50 V (min), IC = 150 mA (max) • Excellent linearity of hFE : hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) 文件：212.87 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：142.85 Kbytes Page：4 Pages	Audio Frequency Voltage Amplifier Applications Low Noise Amplifier Applications 文件：142.85 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：602.02 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO = 50 V (min), IC = 150 mA (max) • Excellent hFE linearity: hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 ( 文件：602.02 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SC1815Y
功能描述：
TRANSISTOR NPN 150MA 50V TO-92
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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