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2SC1815-Y-BP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.15A TO92	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC1815	文件：243.05 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SC1815	文件：192.46 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Powerdissipation	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC1815	文件：173.07 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarTansistor NPNEpitaxialPlanarTansistor	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
2SC1815	文件：169.49 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNTransistor DESCRIPTION •HighVoltageandHighCurrent Vceo=50V(Min.),Ic=150mA(Max) •ExcellenthFELinearity •LowNoise •ComplementtoType2SA1015(O,Y,GRclass) APPLICATIONS •AudiofrequencygeneralpurposeamplifierApplications •Driverstageamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC1815	文件：256.029 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyVoltageAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage,highcurrentcapability :VCEO=50V(min),IC=150mA(max) •ExcellentlinearityofhFE :hFE(2)=100(typ.)atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：279.37 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：1.07537 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highvoltageandhighcurrent VCEO=50V(Min),IC=150mA(Max). ●ExcellenthFElinearity:hFE(2)=100(Typ)atVCE=6V,IC=150mA hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA=0.95(Typ)) ●Lownoise. ●Complementaryto2SA1015. APPLICATIONS ●Audiofrequencyg	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SC1815	文件：235.34 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC1815	文件：172.65 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highvoltageandhighcurrent VCEO=50V(Min),IC=150mA(Max). ●ExcellenthFElinearity: hFE(2)=100(Typ)atVCE=6V,IC=150mA hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA=0.95(Typ)) ●Lownoise. ●Complementaryto2SA1015. APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplicati	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC1815	文件：1.94881 Mbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Powerdissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC1815	文件：279.37 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyVoltageAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage,highcurrentcapability :VCEO=50V(min),IC=150mA(max) •ExcellentlinearityofhFE :hFE(2)=100(typ.)atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：215.02 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description DesignedforuseindriverstageofAFamplifiergeneralpurposeamplification.	DCCOM Dc Components	DCCOM
2SC1815	文件：188.02 Kbytes Page：2 Pages	NPNTypePlasticEncapsulateTransistors FEATURES •PowerDissipation PCM:0.4W(Ta=25°C) •CollectorCurrent ICM:0.15A •Collector-BaseVoltage V(BR)CBO:60V	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC1815	文件：142.23 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistor Features ●Powerdissipation	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC1815	文件：602.02 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent: VCEO=50V(min), IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(2)=100(typ.) atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：142.85 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyVoltageAmplifierApplicationsLowNoiseAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：212.87 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNEpitaxailType(forAudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications) AudioFrequencyVoltageAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage,highcurrentcapability :VCEO=50V(min),IC=150mA(max) •ExcellentlinearityofhFE :hFE(2)=100(typ.)atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：168.25 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2SC1815	文件：49.3 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description The2SC1815isdesignedforuseindriverstageofAFamplifiergeneralpurposeamplification.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS

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产品属性

产品编号：
2SC1815-Y-BP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，6V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92
描述：
TRANS NPN 50V 0.15A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SC1815-Y-BP	Micro Commercial Co	24+	TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!-	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	2SC1815YGR		TOS带装	TO-92	608900	原包原标签100%进口原装常备现货!	询价
深圳兆威电子有限公司	2SC1815-YIC	TOSHIBA/东芝	23+	TO92	90000	原装原盘	询价
深圳市富芯乐电子科技有限公司	2SC1815YLT1	WEJ	22+	SOT-23	6500		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SC1815Y-T	UNKNOWN	23+		5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市博浩通科技有限公司	2SC1815-YT2SP.F.T	TOS	23+	TO92-3	8890	价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询	询价
上海鑫科润电子科技有限公司	2SC1815-YT2SP.F.T	TOS	0717+	TO92-3	3000	原装现货海量库存欢迎咨询	询价
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深圳市一线半导体有限公司	2SC1815-YTE2,FT	TOSHIBA			573000		询价

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