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2SC1627A-Y,PASF(M	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 0.4A TO92MOD	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC1627	文件：367.19 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC1627	文件：147.95 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(DRIVERSTAGE,VOLTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS) DriverStageAmplifierApplications VoltageAmplifierApplications •Complementaryto2SA817 •Driverstageapplicationof20to25wattsamplifiers.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC1627A	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC1627A	文件：6.94278 Mbytes Page：4 Pages	TO-92MODPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURE ●Complementaryto2SA817A ●DriverStageApplicationof30to35WattsAmplifiers	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SC1627A	文件：131.58 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation PCM:0.8W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.4A Collector-basevoltage V(BR)CBO:80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC1627A	文件：260.61 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURE ●Complementaryto2SA817A ●DriverStageApplicationof30to35WattsAmplifiers	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SC1627A	文件：892.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features Driverstageof30to35wattsapplication,complementarypairwith2SA817A. Applications Driverstageof30to35wattsapplication,complementarypairwith2SA817A.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC1627A	文件：146.89 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(ERIVERSTAGE,VOLTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS) Driver-StageAmplifierApplications VoltageAmplifierApplications •Complementaryto2SA817A. •Driver-stageapplicationsfor30-to35-wattamplifiers.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC1627A	文件：64.54 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation PCM:0.8W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.4A Collector-basevoltage V(BR)CBO:80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL

产品属性

产品编号：
2SC1627A-Y,PASF(M
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 20mA，200A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 50mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92MOD
描述：
TRANS NPN 80V 0.4A TO92MOD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC1627A-Y,PASF(M供应商更新时间2025-7-27 15:01:00

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