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2SC1080

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type 2SA679/680 ·High power dissipation APPLICATIONS ·For audio power amplifier applications

文件:135.65 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

2SC1080

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type 2SA679/680 ·High power dissipation APPLICATIONS ·For audio power amplifier applications

文件:180.17 Kbytes 页数:3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SC1080

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type 2SA679/680 ·High power dissipation APPLICATIONS ·For audio power amplifier applications

文件:162.7 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2SC108A

SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)

SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)

文件:42.89 Kbytes 页数:1 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC1080_15

Silicon NPN Power Transistors

文件:159.87 Kbytes 页数:3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SC1080_2014

Silicon NPN Power Transistors

文件:159.87 Kbytes 页数:3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SC108A

SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)

Toshiba

东芝

晶体管资料

  • 型号:

    2SC108A

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    射频/高频放大 (HF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    90V

  • 最大电流允许值:

    0.8A

  • 最大工作频率:

    >100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC141,BC300,BC301,BSV84,BSW39,BSW66,2N1990,2N5320,3DK9H,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    90

  • htest:

    100000100

  • atest:

    0.8

  • wtest:

    0.8

详细参数

  • 型号:

    2SC108

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)

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