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2SB776	文件：116.26 Kbytes Page：4 Pages	100V/7A,AF40WOutputApplications???? Thedescriptionsinparenthesesareforthe2SB776only;otherdescriptionsthanthoseinparenthesesarecommontothe2SB776and2SD896. Features •Capableofbeingmountedeasilybecauseofonepointfixingtypeplasticmoldedpackage(InterchangeablewithTO-3). •WideASObecauseofon-chi	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SB776	文件：61.69 Kbytes Page：3 Pages	MEDIUMPOWERLOWVOLTAGETRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB776isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. FEATURES HighCurrentOutputUpto3A LowSaturationVoltage *Complementto2SD886	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB776	文件：215.42 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •Complementtotype2SD896 •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •100V/7A,AF40Woutputapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SB776	文件：199.75 Kbytes Page：5 Pages	2SB776PNPEpitaxialPlanarTransistors,2SD886NPNEpitaxialPlanarTransistors 2SB776PNPEpitaxialPlanarTransistors 2SD886NPNEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SB776	文件：182.41 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMPOWERLOWVOLTAGETRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB776	文件：183.13 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •Complementtotype2SD896 •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •100V/7A,AF40Woutputapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB776	文件：196.5 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •Complementtotype2SD896 •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •100V/7A,AF40Woutputapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB776	文件：198.18 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB776	文件：1.05358 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearityandhighhFE. Applications Poweramplifierandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SB776	文件：625.05 Kbytes Page：3 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighCurrentOutputUpto3A ●LowSaturationVoltagePowerDissipation	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SB776	文件：82.55 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-100V(Min) •GoodLinearityofhFE •HighCurrentCapability •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD896 APPLICATIONS •Designedfor40Waudiofrequencyoutputapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SB776	文件：204.97 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Highcurrentoutputupto3A ●LowsaturationvoltagePowerdissipation	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SB776	文件：128.72 Kbytes Page：4 Pages	100V/7A,AF40WOutputApplications Features ·Capableofbeingmountedeasilybecauseofonepoint fixingtypeplasticmoldedpackage (InterchangeablewithTO-3). ·WideASObecauseofon-chipballastresistance. ·GoodedependenceoffToncurrentandexcellent highfrequencyresponce. Thedescriptionsinparenthesesarefor	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SB776	文件：1.0519 Mbytes Page：3 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCurrentOutputUpto3A LowSaturationVoltagePowerDissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SB776-TU	文件：1.0519 Mbytes Page：3 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCurrentOutputUpto3A LowSaturationVoltagePowerDissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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